半導体のエッチング工程(種類と目的)とは?【概要】

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ハナハナ
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半導体のエッチング工程について解説します!

今回は、「半導体のエッチング工程(種類と目的)」について解説していきます。

半導体のエッチング工程について全く知らない方、異分野から半導体の製造工程に関わることになった方など、初心者向けの記事になります。

この記事は、こんな人にオススメ!

・半導体のエッチング工程に興味がある 

・半導体の製造工程に関わることになった 

・半導体のエッチング工程について調べたけど、イマイチ分からない

半導体のエッチング工程とは?

半導体エッチング工程の目的とは?

半導体のエッチング工程とは、シリコンウェハ上の膜を除去し、パターンを形成する工程です。

イメージとしては、膜を削ったり溶かしたりすると思って頂ければいいと思います。

エッチング対象となる膜は、成膜工程で形成した金属膜や酸化膜などです。

上図のように、エッチングで膜を除去したく無い場所は、マスク(保護膜)として、フォトリソグラフィ工程のレジストで保護します。

もしも、レジストで保護されていない状態でエッチングすると、最表面の膜が全て除去されてしまいます。

保護膜は、レジスト以外にもエッチング対象膜以外とすることもあります。

半導体エッチング工程の種類とは?

エッチングの種類としては、大きく分けて「ドライエッチング」と「ウェットエッチング」の2種類があります。

ドライエッチングは、材料とガスを反応させてエッチングする方法です。

代表的なドライエッチングの方法としては、特定のガスに高周波電圧を加え、プラズマを発生させて膜を除去する方法です。

ドライエッチングは、ウェットエッチングに比べて制御が容易で、より緻密な加工をすることが出来ますが、エッチングに時間が掛かります。

ウェットエッチングは、材料と薬液を反応させてエッチングする方法です。

キャリアと呼ばれるシリコンウェハの容器(25枚程度収納可能)を、薬液の入ったエッチング槽に漬けて、ある程度まとめて溶解加工することが出来ます。

制御のしやすさから、現在使用されている9割以上はドライエッチングです。

エッチングと似たものに、剥離という工程があります。

剥離とは、保護膜として使用されたレジストを除去する工程です。

剥離にも、ドライ剥離とウェット剥離があり、ドライ剥離はアッシングとも呼ばれます。

以上、半導体のエッチング工程(種類と目的)についての説明でした。

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最後まで読んで頂き、ありがとうございました。

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